1分钟640纳米！等离子体让3D NAND闪存蚀刻效率翻倍
时间 • 2025-06-02 17:15:15
材料
等离子体
分钟
从而
效率
1分钟640纳米！等离子体让3D NAND闪存蚀刻效率翻倍
快科技2月5日消息，3DNAND闪存的设计和制造非常依赖存储单元堆叠，由此可以大幅增加存储密度与容量，降低成本。
最近，来自LamResearch、科罗拉多大学博尔德分校、美国能源部普林斯顿等离子体物理实验室(PPPL)的众多科学家联合设计了一种新的蚀刻工艺。
该方法使用氟化氢等离子体，将硅材料垂直通道的蚀刻效率提高了一倍，只需1分钟即可蚀刻640纳米。
其中的关键是在氧化硅和氮化硅交替层上刻孔，并将分层材料暴露在等离子体形式的化学物质中，让等离子体中的原子与分层材料中的原子相互作用，从而蚀刻出孔洞通道。